經濟部產業發展署

一、計畫目標

　　為強化資訊及數位產業發展，國內需積極發展以化合物半導體為核心的高效率能源轉換與應用技術，並利用半導體和資通訊產業優勢成為下世代資通訊基地，以扣合六大核心戰略產業之政策。然生產碳化矽晶圓所需之超高溫長晶設備皆仰賴國外大廠，國內廠商雖已具備4吋及6吋化合物半導體長晶設備研發與生產經驗，惟設備自製率、生產良率都偏低，除長晶設備，國內在晶圓加工、元件製作等製程設備都還存在技術瓶頸，對比國外碳化矽主導廠商已投入8吋碳化矽相關設備技術研發，故協助國內潛力廠商加速佈署8吋碳化矽設備技術係當務之急的首要戰略目標，其次在關鍵製程設備亦將輔以單點突破，逐步達成國內化合物半導體設備自製能力。

二、審查重點(包含成效指標)

(一)技術層級：

1.技術基礎規範：申請企業是否具有相關實績經驗、是否適用於8吋導電型碳化矽晶圓製程、6/8吋共用半絕緣型碳化矽晶圓製程、8吋氮化鎵磊晶製程技術規格指標是否符合補助範圍。

2.技術自主性：是否具備超越目前國內產業技術水準、或有其他創新技術及具備媲美或超越國際業者之技術研發能力，足以展現企業自主製造能量且符合產業品質使用需求。

(二)市場價值：

1.設備核心價值：受補助之設備市場價值、是否切入重點產業領域、結案後可否提升營業指標成長率、功能技術亮點可否產生產業帶動效果、設備是否採用本土化零組件或建立在地化供應鏈。

2.市場競爭能力：受補助業者是否具有市場接單能力、產出之設備總價值、設備及製程產品預計出貨之客戶是否具市場指標性、後續預期訂單及擴散效益。

(三)計畫可行性：

1.申請A類計畫是否有具體長晶設備及產品營運合作規劃、聯合提案之主導企業是否具計畫整合能力、提案所列之開發技術規格是否符合時下國際大廠指標規範、檢測驗證標準是否與國際公認作法同步。

2.設備及製程產品在第三方使用端測試場域地點與驗證規劃(包含設備廠內及使用端場域)、進行期間、進行方式、預期成果、結案後之投資規劃，計畫書完整性、查核點及結案驗收規劃可行性(註)、經費編列合理性，團隊組成及執行經驗等是否進行詳細說明。

註：提案廠商須於計畫書中說明期中、期末結案佐證方式，並由委員審查合理性與可行性。

三、申請資格

單一企業或聯合多家企業提出申請須符合以下資格：

(一)國內依法登記成立之獨資、合夥、有限合夥事業或公司。

(二)非屬銀行拒絕往來戶，且淨值（股東權益）為正值。

(三)不得為陸資投資企業(依經濟部投資審議委員會公布之最新陸資來台投資事業名錄)。